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碳化硅（SiC）MOSFET - 意法半导体STMicroelectronics
借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的
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湖南三安 碳化硅产品选型手册
2023年2月12日 碳化硅MOSFET. 碳化硅功率二极管. 低反向恢复时间. 部分产品支持 AEC-Q101. 简易的驱动电压. 稳定的导通电阻. 更低电容,支持更高开关速度. 稳固性更好的MPS
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什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
用途和制作方法. 2023年6月22日. 碳化硅，也称为 SiC，是一种 半导体 基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来
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SCT2080KE_数据表、主要规格_ROHM.cn
View. SCT2080KE. SiC（碳化硅）MOSFET. 基于SiC的平面型MOSFET。 （SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 Data Sheet 购买 * * 本产品是标准级
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碳化硅（SiC）MOSFET - 意法半导体STMicroelectronics
New highly versatile 650 V STPOWER SiC MOSFET in 4-lead HiP247 package. Enabling excellent switching performance thanks to its source sensing pin, the SCTWA35N65G2V-4 covers a wide range of industrial applications. 1200 V silicon-carbide diodes, Industrial and automotive-grade. Unbeatable efficiency and robustness.
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Wolfspeed 数据手册解读 Wolfspeed
2021年10月14日 结论. 碳化硅（SiC）数据手册中列出了很多额定值和特性，了解这些额定值是如何影响您的设计是有好处的。. 与Si或IGBT等传统结构相比，尽管SiC有很很多优势，但优化诸如热管理、驱动电路、PCB
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SiC（碳化硅）功率器件_分立式元器件_罗姆半导体集团 ...
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于 ...
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铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍. 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。. 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其. 生产制造技术投入资金 ...
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碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌 (infineon)官网
2 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。. 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。. 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ，可 ...
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Candela 8520 - 光致发光和表面检测系统 - KLA
Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ...
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碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics
查看与碳化硅（SiC）MOSFET相关的产品 Enter your code zh: Validate Invalid code, please check the code sent to your email address and validate again.
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从进步，到进化 盛弘股份发布全球首款碳化硅版本工商业 ...
从进步，到进化，盛弘本次发布的PWS1-125M，采用第三代半导体碳化硅作为核心功率器件，为全球首款碳化硅版本工商业模块化储能变流器。 碳化硅器件具备耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等特点，使得PCS在额定功率工况下，平均效率提升 1%+ ，模块功率密度整体提升 25%+ 。
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汽车牵引 SiC 和 IGBT 功率模块 DCM™ Danfoss
2 天之前 DCM™1000 技术平台手册 手册下载 关于 DCM™1000 的常见问题与回答 DCM™ 模块当前的额定电流是指什么 ... 距离和爬电距离，适用于直流链路电压高达 1000V 的应用。DCM™1000 和 DCM™1000X 都可以使用碳化硅 MOSFET ...
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SiC（碳化硅）MOSFET_产品搜索结果_罗姆半导体集团 ...
SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型 ...
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网站首页-深圳市国微三代半导体技术有限公司
网站首页-深圳市国微三代半导体技术有限公司是国微集团旗下的一家专业从事化合物半导体的公司。公司核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片，碳化硅功率器件、模块等，产品性能达到国际先进水平，主要服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球客户。
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3218 碳化硅冶炼行业系数手册 （初稿）
2021年6月12日 本手册仅用于第二次全国污染源普查工业污染源普查范围中，《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017）中3218 碳化硅冶炼行业 使用产污系数法核算工业污染物产生量和排放量的普查对象。 利用本手册进行产排污核算得出的污染物产生量与排放量仅代
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湖南三安 碳化硅产品选型手册
2023年2月12日 碳化硅产品选型手册 Hunan Sanan SiC Power Products Ver 2023.01 车规级产品 通过更高的功率密度和能源转换效率，提高新能源 汽车的续航里程，优化新能源汽车的充电体验。碳化硅二极管模块 最新的碳化硅功率二极管工艺和小型化封装技术，提升模
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碳化硅产品出口质量手册.pdf-全文可读
2019年2月25日 碳化硅产品出口质量手册.pdf,1Zdd 1 2013-7-29 11:37:36 碳化硅产品出口质量安全手册 中华人民共和国商务部 1Zdd 1 2013-7-29 11:37:37 目 录 第一章 概述1 第一节 商品描述2 第二节 行业概况4 第三节 全球碳化硅生产情况4 第四节 全球 原创力 ...
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深入理解MOSFET规格书/datasheet - 知乎
2022年9月15日 相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。
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一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍 SiC 器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数
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国产碳化硅MOS管和模块产品手册 - 知乎
2022年7月3日 国产碳化硅MOS管和模块产品手册. 如果说特斯拉在2018年正式打响了碳化硅上车的“发令枪”，现在新能源汽车市场应该比以往任何时候都更加逼近规模化上车。. 据不完全统计，比亚迪、吉利、现代、广汽、小鹏等都发布了搭载800V高电压平台的车型，部分
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利用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 建立常见拓扑结构模型 ...
2020年10月07日. 现在，工程师们比以往任何时候都更倾向于选择基于碳化硅 (SiC) 的产品，因为它们比基于硅 (Si) 的元件具有更高的效率、功率密度和更好的整体系统成本效益。. 除了 SiC 和 Si 之间共有的基本设计原则，以及牢记 SiC 不同的特性、能力和优势之外 ...
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排放源统计调查产排污核算方法 和系数手册 - 中华人民共和国 ...
2021年6月23日 产排污系数法( 含物料衡算法) 产排污系数法是依据调查对象的产品或原料类型、生产工艺、生 产规模以及污染治理技术等,根据产排污系数手册中对应的“ 影响因素”组 合确定产污系数及污染物去除效率,核算污染物产生量和排放量。. 有废水回用的调查对象 ...
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